聯(lián)系人: 郎蘋(女士) 電話:0769-82136991 傳真:0769-82138385 地址:廣東省東莞市塘廈鎮(zhèn)林村新太陽工業(yè)城新鴻路30號10樓/12樓
如何通過提升開關電源的EMI特性來改善整個電路的EMI性能
來源:東莞市成良智能科技 發(fā)布時間:2019-11-27 點擊量:1061
為提高開關電源的功率密度,電源工程師首先想到的辦法是選擇開關頻率更高的MOSFET,通過提高開關速度可以顯著地減小輸出濾波器體積,從而在單位體積內(nèi)可實現(xiàn)更高的功率等級。但是隨著開關頻率的提高,會帶來EMI特性的惡化,必須采取有效的措施改善電路的EMI特性
開關電源的功率MOSFET安裝在印制電路板上,由于印制電路板上MOSFET走線和環(huán)路存在雜散電容和寄生電感,開關頻率越高,這些雜散電容和寄生電感更加不能夠忽略。由于MOSFET上的電壓和電流在開關時會快速變化,快速變化的電壓和電流與這些雜散電容和寄生電感相互作用,會導致電壓和電流出現(xiàn)尖峰,使輸出噪聲明顯增加,影響系統(tǒng)EMI特性。
1 降低開關電源之MOSFET的dv/dt,可以采取以下有效措施:
較高的Cds可以降低dv/dt并降低Vds過沖;但是較高的Cds會影響轉(zhuǎn)換器的效率??梢允褂镁哂休^低擊穿電壓和低導通電阻的MOSFET(這類MOSFET的Cds也較?。5侨绻紤]噪聲輻射,則需要使用較大的諧振電容(Cds)。因此提高Cds則需要權衡EMI和效率兩者的關系;
較高的Cgd實質(zhì)上增加了MOSFET在米勒平臺的持續(xù)時間,可以降低dv/dt。但這會導致增加開關損耗,從而降低開關電源之MOSFET效率并且會提高其溫升。提高Cgd,需要驅(qū)動電流也會大幅增加,驅(qū)動器可能會因瞬間電流過大而燒毀;建議不要輕易添加Cgd;在柵極處添加外部Cgs電容,但很少使用此方法,因為增加柵極電阻Rg相對更簡單。效果是相同的。
2 降低開關電源之電路中di/dt,可通過下面措施進行改進:
增加高頻電容減小環(huán)路面積
我們可以采取措施減小高頻電位跳變點的PCB環(huán)路面積。增加高頻高壓直流電容C_IP是減少開關電源之PCB環(huán)路面積和分離高頻和低頻兩個部分回路有效措施。
合理增加磁珠抑制高頻電流
為了額外降低di/dt,可以在電路中增加已知的電感,以抑制高頻段的電流尖峰和振蕩。已知的電感與雜散電感串聯(lián),所以總電感值在設計者已知的電感范圍內(nèi)。鐵氧體磁珠就是很好的高頻電流抑制器,它在預期頻率范圍內(nèi)變?yōu)殡娮瑁⒁詿岬男问较⒃肼暷芰俊?
推薦產(chǎn)品MORE+
推薦資訊MORE+
- 東莞超薄開關電源哪家比較優(yōu)惠 2023-06-01
- 開關電源和LED驅(qū)動電源有什么區(qū)別? 2023-03-21
- 開關電源的五種紋波噪聲如何抑制? 2023-02-20
- 開關電源原理詳解 2023-02-15
- 開關電源一通電保險管就燒掉什么原因? 2023-02-08
- 一分鐘迅速了解開關電源 2023-02-06
- 開關電源各元件名稱及作用是什么? 2023-02-01
- 直流穩(wěn)壓開關電源和線性電源的區(qū)別? 2023-01-31
- 開關電源IC的作用 2023-01-04
- 開關電源是幾V的? 2023-01-03