聯(lián)系人: 郎蘋(女士) 電話:0769-82136991 傳真:0769-82138385 地址:廣東省東莞市塘廈鎮(zhèn)林村新太陽工業(yè)城新鴻路30號10樓/12樓
對于開關電源的選擇MOSFET的步驟(二)
來源:東莞市成良智能科技 發(fā)布時間:2019-12-16 點擊量:883
事實上,MOSFET數據表上的每一頁都包含有對設計者非常有價值的信息。但人們不是總能搞得清楚該如何解讀制造商提供的數據。本文概括了一些MOSFET的關鍵指標,這些指標在數據表上是如何表述的,以及你理解這些指標所要用到的清晰圖片。像大多數電子器件一樣,MOSFET也受到工作溫度的影響。所以很重要的一點是了解測試條件,所提到的指標是在這些條件下應用的。還有很關鍵的一點是弄明白你在“產品簡介”里看到的這些指標是“最大”或是“典型”值,因為有些數據表并沒有說清楚。
確定開關電源之MOSFET的首要特性是其漏源電壓VDS,或“漏源擊穿電壓”,這是在柵極短路到源極,漏極電流在250μA情況下,MOSFET所能承受的保證不損壞的最高電壓。VDS也被稱為“25℃下的絕對最高電壓”,但是一定要記住,這個絕對電壓與溫度有關,而且數據表里通常有一個“VDS溫度系數”。你還要明白,最高VDS是直流電壓加上可能在電路里存在的任何電壓尖峰和紋波。
開關電源的選擇MOSFET的步驟第一步:確定熱要求
選擇開關電源之MOSFET的下一步是計算系統(tǒng)的散熱要求。設計人員必須考慮兩種不同的情況,即最壞情況和真實情況。建議采用針對最壞情況的計算結果,因為這個結果提供更大的安全余量,能確保系統(tǒng)不會失效。在開關電源之MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測量數據;比如封裝器件的半導體結與環(huán)境之間的熱阻,以及最大的結溫。
器件的結溫等于最大環(huán)境溫度加上熱阻與功率耗散的乘積(結溫=最大環(huán)境溫度+[熱阻×功率耗散])。由于設計人員已確定將要通過器件的最大電流,因此可以計算出不同溫度下的RDS(ON)。值得注意的是,在處理簡單熱模型時,設計人員還必須考慮半導體結/器件外殼及外殼/環(huán)境的熱容量;即要求開關電源之印刷電路板和封裝不會立即升溫。
雪崩擊穿是指半導體器件上的反向電壓超過最大值,并形成強電場使器件內電流增加。該電流將耗散功率,使器件的溫度升高,而且有可能損壞器件。半導體公司都會對器件進行雪崩測試,計算其雪崩電壓,或對器件的穩(wěn)健性進行測試。計算額定雪崩電壓有兩種方法;一是統(tǒng)計法,另一是熱計算。
開關電源的選擇MOSFET的步驟第二步:決定開關性能
對于開關電源之選擇MOSFET的最后一步是決定MOSFET的開關性能。影響開關性能的參數有很多,但最重要的是柵極/漏極、柵極/ 源極及漏極/源極電容。這些電容會在器件中產生開關損耗,因為在每次開關時都要對它們充電。開關電源之MOSFET的開關速度因此被降低,器件效率也下降?;陂_關性能的重要性,新的技術正在不斷開發(fā)以解決這個開關問題。芯片尺寸的增加會加大柵極電荷;而這會使器件尺寸增大。為了減少開關損耗,新的技術如溝道厚底氧化已經應運而生,旨在減少柵極電荷。開關電源之MOSFET就能應對開關過程中的高速電壓瞬變(dv/dt)和電流瞬變(di/dt),甚至可在更高的開關頻率下可靠地工作。
推薦產品MORE+
推薦資訊MORE+
- 東莞超薄開關電源哪家比較優(yōu)惠 2023-06-01
- 開關電源和LED驅動電源有什么區(qū)別? 2023-03-21
- 開關電源的五種紋波噪聲如何抑制? 2023-02-20
- 開關電源原理詳解 2023-02-15
- 開關電源一通電保險管就燒掉什么原因? 2023-02-08
- 一分鐘迅速了解開關電源 2023-02-06
- 開關電源各元件名稱及作用是什么? 2023-02-01
- 直流穩(wěn)壓開關電源和線性電源的區(qū)別? 2023-01-31
- 開關電源IC的作用 2023-01-04
- 開關電源是幾V的? 2023-01-03