事實上，MOSFET數據表上的每一頁都包含有對設計者非常有價值的信息。但人們不是總能搞得清楚該如何解讀制造商提供的數據。本文概括了一些MOSFET的關鍵指標，這些指標在數據表上是如何表述的，以及你理解這些指標所要用到的清晰圖片。像大多數電子器件一樣，MOSFET也受到工作溫度的影響。所以很重要的一點是了解測試條件，所提到的指標是在這些條件下應用的。還有很關鍵的一點是弄明白你在“產品簡介”里看到的這些指標是“最大”或是“典型”值，因為有些數據表并沒有說清楚。

確定開關電源之MOSFET的首要特性是其漏源電壓VDS，或“漏源擊穿電壓”，這是在柵極短路到源極，漏極電流在250μA情況下，MOSFET所能承受的保證不損壞的最高電壓。VDS也被稱為“25℃下的絕對最高電壓”，但是一定要記住，這個絕對電壓與溫度有關，而且數據表里通常有一個“VDS溫度系數”。你還要明白，最高VDS是直流電壓加上可能在電路里存在的任何電壓尖峰和紋波。

開關電源的選擇MOSFET的步驟第一步：確定熱要求
選擇開關電源之MOSFET的下一步是計算系統(tǒng)的散熱要求。設計人員必須考慮兩種不同的情況，即最壞情況和真實情況。建議采用針對最壞情況的計算結果，因為這個結果提供更大的安全余量，能確保系統(tǒng)不會失效。在開關電源之MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測量數據；比如封裝器件的半導體結與環(huán)境之間的熱阻，以及最大的結溫。
器件的結溫等于最大環(huán)境溫度加上熱阻與功率耗散的乘積(結溫=最大環(huán)境溫度+[熱阻×功率耗散])。由于設計人員已確定將要通過器件的最大電流，因此可以計算出不同溫度下的RDS(ON)。值得注意的是，在處理簡單熱模型時，設計人員還必須考慮半導體結/器件外殼及外殼/環(huán)境的熱容量；即要求開關電源之印刷電路板和封裝不會立即升溫。

雪崩擊穿是指半導體器件上的反向電壓超過最大值，并形成強電場使器件內電流增加。該電流將耗散功率，使器件的溫度升高，而且有可能損壞器件。半導體公司都會對器件進行雪崩測試，計算其雪崩電壓，或對器件的穩(wěn)健性進行測試。計算額定雪崩電壓有兩種方法；一是統(tǒng)計法，另一是熱計算。

開關電源的選擇MOSFET的步驟第二步：決定開關性能 
對于開關電源之選擇MOSFET的最后一步是決定MOSFET的開關性能。影響開關性能的參數有很多，但最重要的是柵極/漏極、柵極/ 源極及漏極/源極電容。這些電容會在器件中產生開關損耗，因為在每次開關時都要對它們充電。開關電源之MOSFET的開關速度因此被降低，器件效率也下降?；陂_關性能的重要性，新的技術正在不斷開發(fā)以解決這個開關問題。芯片尺寸的增加會加大柵極電荷；而這會使器件尺寸增大。為了減少開關損耗，新的技術如溝道厚底氧化已經應運而生，旨在減少柵極電荷。開關電源之MOSFET就能應對開關過程中的高速電壓瞬變(dv/dt)和電流瞬變(di/dt)，甚至可在更高的開關頻率下可靠地工作。