開關(guān)電源的元器件之MOSFET的導通電阻總是在一個或多個柵源電壓條件下確定的。最大RDS(on)限值可以比典型數(shù)值高20%～50%。 RDS(on)最大限值通常指的25℃結(jié)溫下的數(shù)值，而在更高的溫度下，RDS(on)可以增加30%～150%。

導通電阻對N溝道和P溝道MOSFET都是十分重要的。在開關(guān)電源中，Qg是用在開關(guān)電源里的N溝道MOSFET的關(guān)鍵選擇標準，因為Qg會影響開關(guān)損耗。這些損耗有兩個方面影響：一個是影響MOSFET導通和關(guān)閉的轉(zhuǎn)換時間；另一個是每次開關(guān)過程中對柵極電容充電所需的能量。要牢記的一點是，Qg取決于柵源電壓，即使用更低的Vgs可以減少開關(guān)損耗。

作為一種快速比較準備用在開關(guān)應用里開關(guān)電源之MOSFET的方式，設計者經(jīng)常使用一個單數(shù)公式，要保證在器件中進行準確的比較，你需要確定用于RDS(on) 和Qg的是相同的VGS，在公示里典型值和最大值沒有碰巧混在一起。較低的FOM能讓你在開關(guān)應用里獲得更好的性能，但是不能保證這一點。只有在實際的電路里才能獲得最好的比較結(jié)果，在某些情況下可能需要針對每個開關(guān)電源之MOSFET對電路進行微調(diào)。

開關(guān)電源的選擇MOSFET的步驟第一步：選用N溝道還是P溝道
為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中，當一個MOSFET接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，應采用N溝道MOSFET，這是出于對關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當開關(guān)電源之MOSFET連接到總線及負載接地時，就要用高壓側(cè)開關(guān)。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOSFET，這也是出于對電壓驅(qū)動的考慮。

要選擇適合應用的器件，必須確定驅(qū)動器件所需的電壓，以及在設計中最簡易執(zhí)行的方法。下一步是確定所需的額定電壓，或者器件所能承受的最大電壓。開關(guān)電源之MOSFET的額定電壓越大，器件的成本就越高。這樣才能提供足夠的保護，使開關(guān)電源之MOSFET不會失效。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓，即最大VDS。知道開關(guān)電源之MOSFET能承受的最大電壓會隨溫度而變化這點十分重要。設計人員必須在整個工作溫度范圍內(nèi)測試電壓的變化范圍。額定電壓必須有足夠的余量覆蓋這個變化范圍，確保電路不會失效。設計工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關(guān)電子設備(如電機或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變。不同應用的額定電壓也有所不同。

開關(guān)電源的選擇MOSFET的步驟第二步是選擇MOSFET的額定電流。視電路結(jié)構(gòu)而定，該額定電流應是負載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似，設計人員必須確保所選的開關(guān)電源之MOSFET能承受這個額定電流，即使在系統(tǒng)產(chǎn)生尖峰電流時。兩個考慮的電流情況是連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導通模式下，開關(guān)電源之MOSFET處于穩(wěn)態(tài)，此時電流連續(xù)通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件。一旦確定了這些條件下的最大電流，只需直接選擇能承受這個最大電流的器件便可。

開關(guān)電源之MOSFET并不是理想的器件，因為在導電過程中會有電能損耗，這稱之為導通損耗。MOSFET在“導通”時就像一個可變電阻，由器件的RDS(ON)所確定，并隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計算，由于導通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化。對開關(guān)電源之MOSFET施加的電壓VGS越高，RDS(ON)就會越小；反之RDS(ON)就會越高。