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歷史記錄
  • 2019-12-19讓你讀懂開(kāi)關(guān)電源之PCB電鍍鋅的目的和特征
    對(duì)于開(kāi)關(guān)電源之PCB電鍍鋅目的是為了防止鋼鐵類(lèi)物體被腐蝕,提高鋼鐵的耐蝕性及使用壽命,同時(shí)也使產(chǎn)品增加裝飾性的外觀,鋼鐵隨著時(shí)間的增長(zhǎng)會(huì)被風(fēng)化,水或泥土腐蝕。國(guó)內(nèi)每年被腐蝕的鋼鐵差不多占整個(gè)鋼鐵量的十分之一,所以,為了保護(hù)鋼鐵或其零件的使用壽命,一般都采用開(kāi)關(guān)電源之PCB電鍍鋅來(lái)將鋼鐵加工處理。
  • 2019-12-19談開(kāi)關(guān)電源之PCB多層板 : 磁通對(duì)消法有效控制EMC
    在開(kāi)關(guān)電源之PCB的EMC設(shè)計(jì)考慮中,首先涉及的便是層的設(shè)置; 單板的層數(shù)由開(kāi)關(guān)電源、地的層數(shù)和信號(hào)層數(shù)組成;在產(chǎn)品的EMC設(shè)計(jì)中,除了元器件的選擇和電路設(shè)計(jì)之外,良好的開(kāi)關(guān)PCB設(shè)計(jì)也是一個(gè)非常重要的因素。 開(kāi)關(guān)電源之PCB的EMC設(shè)計(jì)的關(guān)鍵,是盡可能減小回流面積,讓回流路徑按照我們?cè)O(shè)計(jì)的方向流
  • 2019-12-18記憶一下開(kāi)關(guān)電源之PCB覆銅要點(diǎn)和規(guī)范
    開(kāi)關(guān)電源之PCB覆銅要點(diǎn)和規(guī)范1.覆銅覆蓋焊盤(pán)時(shí),要完全覆蓋,shape 和焊盤(pán)不能形成銳角的夾角。 開(kāi)關(guān)電源之PCB覆銅要點(diǎn)和規(guī)范2.盡量用覆銅替代粗線。當(dāng)使用粗線時(shí),過(guò)孔通常最好為非通常走線過(guò)孔,增大過(guò)孔的孔徑和焊盤(pán)。 開(kāi)關(guān)電源之PCB覆銅要點(diǎn)和規(guī)范3.盡量用覆銅替換覆銅+走線的模式,后者常常
  • 2019-12-18超級(jí)全!匯總開(kāi)關(guān)電源之PCB表面處理工藝
    對(duì)于開(kāi)關(guān)電源之PCB表面處理最基本的目的是保證良好的可焊性或電性能。由于自然界的銅在空氣中傾向于以氧化物的形式存在,不大可能長(zhǎng)期保持為原銅,因此需要對(duì)開(kāi)關(guān)電源之PCB上的銅進(jìn)行其他處理。 開(kāi)關(guān)電源之PCB表面處理工藝1、熱風(fēng)整平(噴錫) 熱風(fēng)整平又名熱風(fēng)焊料整平(俗稱(chēng)噴錫),它是在開(kāi)關(guān)電源之PCB
  • 2019-12-18開(kāi)關(guān)電源之PCB設(shè)計(jì)中都有哪些間距需要考慮?
    開(kāi)關(guān)電源之PCB設(shè)計(jì)中有諸多需要考慮到安全間距的地方。在此,暫且歸為兩類(lèi):一類(lèi)為電氣相關(guān)安全間距,一類(lèi)為非電氣相關(guān)安全間距。 開(kāi)關(guān)電源之PCB設(shè)計(jì)中間距需要考慮1.電氣相關(guān)安全間距:導(dǎo)線之間間距 據(jù)主流開(kāi)關(guān)電源之PCB生產(chǎn)廠家的加工能力,導(dǎo)線與導(dǎo)線之間的間距不得低于最小4mil。最小線距,也是線到線
  • 2019-12-18告訴你開(kāi)關(guān)電源之PCB電路板級(jí)的堵和導(dǎo)
    1、增大開(kāi)關(guān)電源之PCB板材面積,以增加GND面積,增強(qiáng)其中和靜電的能力;成本或者差異化的堆疊讓我們做小。 2、實(shí)在很小的板子,則必須要有至少一層完整的;并且要能夠跟電池地腳保持良好的連接;我們常常因?yàn)槌杀緹o(wú)法做到留出完整的地層。 3、很小的電路板,因?yàn)殡娐钒宓闹泻碗姾赡芰τ邢?,則要多考慮從整機(jī)上堵
  • 2019-12-16對(duì)于開(kāi)關(guān)電源的選擇MOSFET的步驟(一)
    開(kāi)關(guān)電源的元器件之MOSFET的導(dǎo)通電阻總是在一個(gè)或多個(gè)柵源電壓條件下確定的。最大RDS(on)限值可以比典型數(shù)值高20%~50%。 RDS(on)最大限值通常指的25℃結(jié)溫下的數(shù)值,而在更高的溫度下,RDS(on)可以增加30%~150%。 導(dǎo)通電阻對(duì)N溝道和P溝道MOSFET都是十分重要的。在
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